תיאור של 4N IGZO מקרטעת מטרה
מטרות קיזור IGZO, הידוע גם בשם אינדיום גליום זינק אוקסיד מטרות, הן מטרות קרמיקה מרוכבות תחמוצת מרוכבות הנוצרות על ידי ערבוב וסינטר אינדיום אוקסיד (In₂O₃), תחמוצת גליום (Ga₂O₃) ותחמוצת אבץ (ZnO) בפרופורציות ספציפיות. הם משמשים כחומר המקור הליבה בתהליכי שקיעת אדים פיזית (PVD), כגון קיצוץ מגנטרון, ומשמשים לייצור סרטים דקים של IGZO-בביצועים גבוהים- במיוחד כחומר השכבה הפעילה עבור טרנזיסטורי סרטים דקים (TFT).
מאפיינים של 4N IGZO מטרת קפיצה
ניידות אלקטרונית גבוהה: ניידות הנשא שלו עולה בהרבה על זו של חומרי סיליקון אמורפיים מסורתיים-מגיעה פי 10, או אפילו פי 20 עד 30, מזו של סיליקון אמורפי-מה שמשפר ישירות את מהירות תגובת המיתוג ואת הביצועים הכוללים של TFTs.
זרם דליפה נמוך וצריכת חשמל נמוכה: סרטים דקים של IGZO מציגים מאפייני מיתוג מצוינים, הכוללים זרם נמוך במיוחד במצב כבוי-; זה תורם באופן משמעותי להפחתת צריכת החשמל של לוחות תצוגה ומכשירים אלקטרוניים.
שקיפות אופטית מעולה: הוא מפגין שידור גבוה בתוך ספקטרום האור הנראה, ובכך עומד בדרישות החומר לאלקטרודות שקופות או שכבות פעילות ביישומי תצוגה-בהירים ואיכות-תמונה-גבוהה.
יציבות ואחידות גבוהה: באמצעות אופטימיזציה של תהליכי ייצור, ניתן להשיג מטרות קיצוץ עם צפיפות גבוהה, קומפוזיציה יציבה ופגמים מינימליים, ובכך להבטיח איכות סרט-דק עקבית ועמידה בדרישות של ייצור המוני-בקנה מידה גדול.
תאימות תהליך-טמפרטורות נמוכות: ניתן להציב סרטים דקים באיכות גבוהה- בטמפרטורות מצע נמוכות יחסית; יכולת זו חיונית עבור מצעי תצוגה גמישים (כגון פלסטיק), מכיוון שהיא מונעת את הנזק למצעים גמישים שאחרת היה נגרם מעיבוד- בטמפרטורה גבוהה.
יישומים של 4N IGZO מקרטעת יעד
תצוגות שטוחות-גבוהות: משמשת כחומר ליבה לייצור מטוסי TFT אחוריים-בעלי ביצועים גבוהים, טכנולוגיה זו נמצאת בשימוש נרחב בתצוגות גביש נוזלי (LCD), תצוגות אור אורגני-דיודה פולטת (OLED), ותצוגות מיקרו-LED הדורשות רזולוציה גבוהה{{4} של Ultrah{{4} תעריפים וצריכת חשמל נמוכה. לוחות תצוגה המבוססים על טכנולוגיית IGZO TFT אומצו על ידי מותגים ידועים רבים עבור מוצרים כגון מחשבים ניידים וטאבלטים.
צגים גמישים ומודפסים: מאפייני יצירת הסרט-הנמוכים שלו- הופכים אותו לבחירה אידיאלית עבור התקני תצוגה ניתנים לכיפוף-כגון OLED גמישים ונייר אלקטרוני- ובכך מספקים בסיס טכנולוגי למכשירים לבישים.
יישומי מוליכים למחצה מתעוררים: הוא מפגין פוטנציאל עצום בתחום החישה (למשל, גלאי פוטו וחיישני לחץ), אחסון נתונים (למשל, משמש כחומר ערוץ לממריסטורים במחשוב נוירומורפי), והתקנים אלקטרוניים שקופים.
מפרטים של 4N IGZO Target Sputtering
הרכב טיפוסי: In:Ga:Zn= 1:1:1:4 (יחס אטומי); יצירות אחרות זמינות
טוהר: 4N+ (99.99% ומעלה)
צורה: מישורית; מַחזוֹרִי
צבע: אפור בהיר
צורה: דיסקים, צלחות, יעדי עמודות, בהתאמה אישית-
צפיפות טיפוסית: גדולה או שווה ל-6.30 גרם/ס"מ³
מימד אופייני: - מישור: L300-1100 מ"מ לפלח בודד/- סיבובי: L300-700 מ"מ למקטע בודד/מידות אחרות זמינות
בקרת איכות ובדיקה של 4N IGZO Target Sputtering
שאלות נפוצות עבור 4N IGZO Target Sputtering
האם אתה א מפעל או aיַצרָן?
ת: כן, אנחנו מפעל 4N IGZO Sputtering Target, אבל אנחנו בדרך כלל משתמשים בחברת המסחר שלנו כדי לטפל בעסקים בחו"ל. יהיה נוח יותר לקבל את התשלום ולארגן את המשלוח.
מהי שיטת המשלוח?
ת: בדרך כלל, אנו שולחים יעד 4N IGZO מקרטעת באמצעות UPS, DHL או FedEx. כמו כן, אנו יכולים לשלוח דרך הים לנמל ימי או באוויר לשדה התעופה הקרוב ביותר.
מדוע ה-4N IGZO ה-Puttering Target כל כך חסכוני-?
ת: אנחנו חותכים את המתווכים בסופו של דבר-כדי-לסיים את תהליך הייצור, ואנו משיגים חומר גלם ישירות מהמקור שלו.
האם אתה עושה בדיקת איכות נקודתית שלמוצרים?
ת: 100% בדיקה מלאה בוודאות. כל יעדי הקפיצה של 4N IGZO לא מוסמכים נמחקים.
איך אתה מבטיח את זמן ההובלה שלך?
ת: מהכנת החומר לעיבוד שבבי ולבסוף לבדיקה מלאה. כל שלב בייצור מנוטר ומבוקר בקפדנות כדי לתת לך זמן אספקה מדויק.
מהו ה-MOQ של 4N IGZO Target Sputtering?
ת: תלוי בכמות של 4N IGZO מטרת קפיצה; בדרך כלל, ללא הגבלת MOQ.
איך לשלם עבורהמוצרים?
ת: העברה בנקאית (T/T) תתקבל.
מהו זמן האספקה?
ת: בסביבות 7-20 ימים, אשר תלוי בכמות ובייצור של מטרת הקזת 4N IGZO.
באיזה חבילה מדובר?
ת: בדרך כלל, אנו משתמשים במארז קרטון או במארז דיקט עם חומר מגן בפנים כדי להבטיח את בטיחות מטרת הקזת 4N IGZO.
מהו זמן ההובלה?
ת: מההזמנה שבוצעה ועד קבלת המטען ייקח בערך 10-25 ימים.
תגיות פופולריות: 4n igzo sputtering target, סין 4n igzo sputtering target, מפעל
